Ученые IBM разработали самый быстрый в мире графеновый транзистор
24 декабря 2008
Рубрика: Новости.
Автор: .

Исследователи корпорации IBM сообщили о том, что им удалось продемонстрировать работоспособность графеновых транзисторов на гигагерцовых частотах, достигнув, таким образом, рекордно высоких рабочих частот для этого нового в электронике не кремниевого полупроводникового элемента.

Это достижение стало важной вехой в реализации программы исследований Carbon Electronics for RF Applications (CERA), спонсируемой Управлением перспективного планирования оборонных научно-исследовательских работ (DARPA) при Министерстве обороны США и направленной на создание оборудования связи нового поколения. Графен — особая форма графита, состоящая из одного слоя атомов углерода, выстроенных в форме гексагональной решетки, аналогичной мелкой проволочной сетке атомарного масштаба. Этот материал привлек внимание исследователей во всем мире благодаря своим необычным электронным свойствам, которые, как ожидается, со временем позволят создавать транзисторы, существенно превосходящие по быстродействию любые полупроводниковые триоды, созданные до сих пор. Работа выполняется на основе междисциплинарного сотрудничества в исследовательском центре IBM им. Т.Дж. Уотсона (IBM T. J. Waston Research Center). По словам ученых IBM, участвующих в этом проекте, <интеграция новых материалов наряду с миниатюризацией транзисторов является движущей силой развития и улучшения производительности электронных чипов следующего поколения. Быстродействие транзистора определяется размерами этого устройства и скоростью движения электронов. Зависимость быстродействия от размеров всегда являлась одним из основных факторов, способствовавших неуклонному уменьшению габаритов кремниевых транзисторов в полупроводниковой промышленности. Ключевое преимущество графена состоит в очень высокой скорости распространения электронов в этом материале, что является необходимым условием создания быстродействующих высокопроизводительных транзисторов. Ученым IBM удалось создать графеновые полевые транзисторы на наноуровне и продемонстрировать работу графеновых транзисторов на гигагерцовых частотах. Что еще более важно, впервые была определена зависимость между размерами графенового транзистора и его производительностью. Группа исследователей обнаружила, что увеличение рабочей частоты транзистора достигается с уменьшением его размеров. На данный момент рекордной для графенового транзистора является тактовая частота 26 ГГц; при этом длина затвора транзистора составляет 150 нм. Исследователи IBM считают, что производительность графеновых транзисторов можно дополнительно увеличить за счет улучшения диэлектрических свойств затвора. По их мнению, оптимизация графенового транзистора и уменьшение длины его затвора до 50 нанометров (нм) позволит достичь рабочих частот уровня терагерц (ТГц). На следующем этапе своих исследований ученые IBM также планируют создать на базе высокопроизводительных графеновых транзисторов радиочастотные электронные схемы.

Orphus system
Подписывайтесь на канал infoCOM.UZ в Telegram, чтобы первыми узнавать об ИКТ новостях Узбекистана
В Telegram
В Одноклассники
ВКонтакте