IBM и Samsung анонсировали совместный исследовательский проект по созданию новой полупроводниковой технологии
16 января 2011
Рубрика: Новости. Тэги: ,
Автор: .

Ученые обеих компаний будут совместно разрабатывать полупроводниковую технологию, которая позволит производить мощные и энергетически эффективные электронные чипы для новых мобильных устройств и ИТ-инфраструктуры.

Корпорации IBM и Samsung объявили о партнерстве в области фундаментальных исследований по таким направлениям как новые полупроводниковые материалы, производственные процессы и передовые технологии. Соглашение предусматривает совместную разработку новой технологии производства полупроводниковых элементов, которые могут быть использованы в широком спектре электронных устройств, от «разумных» телефонных трубок до инфраструктуры связи.

Впервые ученые Samsung присоединятся к ученым IBM, сотрудничая в рамках «Альянса по исследованиям в области полупроводниковых технологий» – Semiconductor Research Alliance. Работы будут проводиться в научно-исследовательском центре Albany Nanotech Complex, расположенном в городе Олбани, штат Нью-Йорк. Ученые и инженеры будут изучать новые материалы и транзисторные структуры, а также работать над инновационными решениями реализации межсоединений и сверхплотной конструктивной компоновки элементов для технологических узлов следующего поколения. Перспективные разработки – как результат этих совместных исследований – позволят, как ожидается, достигнуть лидирующих в отрасли характеристик производительности, энергосбережения и компактности кремниевых полупроводниковых элементов.

Как планируется, разработанный компаниями новый технологический процесс расширит их лидерство в области мобильных вычислительных сред и высокопроизводительных приложений. Новое поколение потребительских цифровых устройств – более интеллектуальных, взаимосвязанных и мобильных – требует настоящих научных прорывов в сфере полупроводников, чтобы «идти в ногу» с современными технологическими тенденциями (такими как мобильный Web и облачные вычисления) и оправдывать ожидания пользователей в отношении производительности и надежности.

Нынешняя исследовательская инициатива также расширяет соглашение между IBM и Samsung о совместных разработках технологических процессов (Joint Development Agreement, JDA), распространяя исследования до технологических норм, начиная с 20 нанометров. IBM и Samsung планируют разработать инновационные технологии для своих клиентов из числа производственных компаний, обеспечивая высокую производительность и энергетическую эффективность чипов в рамках технологических норм 20 нм и ниже. В совместном проекте также будет участвовать центр исследований и разработок в области полупроводников Samsung Semiconductor R&D Center.

«Мы очень хотели, чтобы наши ведущие ученые принимали участие в революционных исследованиях, которые проводятся в центре Albany Nanotech Center, — сообщил ЕС Янг (ES Jung), старший вице-президент подразделения Technology Development, входящего в дивизион System LSI Division корпорации Samsung Electronics. — Этот новый проект дополнительно расширит инициативы JDA, продолжая поддерживать наше технологическое лидерство и в будущем».

«Важность этих совместных инноваций трудно переоценить, поскольку полупроводниковая индустрия продолжает создавать и развивать новые виды потребительской электроники и новые методы вычислительной техники, — отметил Майкл Кэдигэн (Michael Cadigan), генеральный директор отделения IBM Microelectronics. — Вот почему мы так рады, что ученые из Samsung работают вместе с нами на всех основных этапах процесса исследований и разработок».

Решения для полупроводниковой КМОП-технологии с нормами 20 нм (и ниже) будут представлены на форуме Common Platform Technology, который пройдет 18 января 2011 года в выставочном центре Santa Clara Convention Center (Санта-Клара, штат Калифорния). Подробности можно узнать на Web-сайте www.commonplatform.com.

Orphus system
Подписывайтесь на канал infoCOM.UZ в Telegram, чтобы первыми узнавать об ИКТ новостях Узбекистана
В Telegram
В Одноклассники
ВКонтакте